| 12寸高端氣浮探針臺(tái)T-300G/T-300 |
| 用于1~12寸晶圓，批次小器件，單個(gè)芯片或MEMS等器件電學(xué)性能測(cè)試。 |
| 應(yīng)用場(chǎng)景：I/V曲線測(cè)試，C/V測(cè)試，射頻S參數(shù)測(cè)試等； |
| 特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)：高穩(wěn)定性，易用性。采用Air Bearing Stage技術(shù)增強(qiáng)功能。 |
| 用于實(shí)驗(yàn)室芯片驗(yàn)證，失效分析，產(chǎn)線射頻芯片S參數(shù)測(cè)試等。 |
| 儀器搭配：數(shù)字源表、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、LCR數(shù)字電橋、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。 |
| 可升級(jí)高溫測(cè)試功能； |
